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컴퓨터가 프로그램을 실행할 때 코드와 데이터는 모두 빠르게 액세스 할 수있는 요소에 위치 할 수 있어야하며, 또한 빠르고 유연하게 수정할 수 있어야합니다. 그 요소는 RAM입니다.

RAM ( Random Access Memory )은 동일한 방식으로 위치에 액세스 할 수있는 일종의 휘발성 메모리입니다.

후자는 컴퓨터에서 그리고 특정 시간까지 물리적 저장 매체는 천공 카드 또는 자기 테이프 였기 때문에 순차적으로 액세스했습니다 (즉, 이전 위치를 모두 통과해야하기 전에 특정 위치 X에 도달하기 위해). 액세스하고 싶습니다). 그리고 우리가 모든 경우에서 기억에 대해 이야기 할 수 있듯이, 무작위성에 대한 명시적인 언급은 우리가 언급하는 기억의 유형을 지정할 수있게합니다.

반면에 휘발성이라는 용어는 메모리에 더 이상 전기 에너지가 공급되지 않으면 내용이 유지되지 않음을 나타냅니다. 이것은 간단하고 간단하게 컴퓨터를 끄면이 메모리의 데이터가 손실된다는 것을 의미합니다.

그렇기 때문에 RAM 메모리에있는 데이터를 보존하려면 하드 디스크, 메모리 카드 또는 USB 드라이브와 같은 영구 저장소에 파일 형태로 덤프해야합니다. .

RAM 메모리는 시스템의 "작동하는"메모리로, 항상 응용 프로그램을 실행하는 데 사용됩니다.

프로그램은 디스크에서 읽고 메모리로 복사됩니다 (메모리로 "로드"라는 절차).

현대 컴퓨터의 모든 구성 요소와 마찬가지로 RAM 메모리도 그 역사를 가지고 있으며 시간이 지남에 따라 진화했습니다.

최초의 RAM 메모리는 제 2 차 세계 대전 이후 페라이트라는 자성 물질을 사용하여 제작되었습니다.

자화 가능한 물질이기 때문에 한 방향 또는 반대 방향으로 분극화되어 모든 현대 컴퓨터가 작동하는 이진 논리의 대표 숫자 인 1과 0을 각각 나타낼 수 있습니다.

70 년대 말, 실리콘 혁명은 컴퓨팅의 세계에 이르렀고, 그와 함께 RAM 메모리를 구축했습니다.

몇 년 후의 첫 번째 마이크로 컴퓨터와 마찬가지로 첫 번째 컴퓨터에는 오늘날 우리에게 우스꽝스러워 보일 정도의 RAM이 포함되어있었습니다.

예를 들어, 1981 년 Sinclair ZX81은 1 킬로바이트를 타는 반면, 오늘날 모든 중급 스마트 폰 은 10 억 (1,000,000,000) 바이트 인 1 기가 바이트를 씁니다.

RAM 메모리는 양뿐만 아니라 액세스 속도와 소형화에서도 발전했습니다.

이러한 RAM의 진화로 인해 다양한 유형의 기술이 탄생했습니다.

• SRAM ( Static Random Access Memory )은 리프레시 회로없이 전원이 공급되는 동안 데이터를 유지할 수있는 메모리 유형으로 구성됩니다.
• NVRAM ( Non-Volatile Random Access Memory )은 전류가 차단 된 후에도 저장된 데이터를 유지할 수 있기 때문에 휘발성 메모리에 대한 정의를 위반합니다. 구성 유지와 같은 기능을위한 전자 장치에서 소량으로 발견됩니다.
• 커패시터 기반 기술을 사용하는 DRAM ( Dynamic Random Access Memory ).
• SDRAM ( 동기 동적 랜덤 액세스 메모리 ). 동기식이라는 사실은 동일한 시스템 버스 클럭으로 작동 할 수 있도록합니다.
• DDR SDRAM 및 DDR2, 3 및 4의 다음과 같은 발전은 고속 SDRAM의 변형으로 구성됩니다. 연속 된 숫자 (2, 3, 4)는 더 빠른 속도를 나타냅니다.